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方阻测试

2026-01-27关键词:方阻测试,中析研究所,CMA/CNAS资质,北京中科光析科学技术研究所相关:
方阻测试

方阻测试摘要:方阻测试是评估薄膜、涂层及薄层材料表面导电性能的关键技术指标,在电子、半导体及新材料研发领域具有重要作用。该测试通过精确测量材料的方块电阻,为评估其导电均匀性、膜层质量以及后续工艺适配性提供核心数据依据,是产品研发与质量控制中不可或缺的环节。

参考周期:常规试验7-15工作日,加急试验5个工作日。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.薄膜材料方阻测试:金属薄膜方阻,透明导电氧化物薄膜方阻,聚合物导电薄膜方阻,纳米涂层方阻。

2.涂层与镀层方阻测试:导电漆涂层方阻,电磁屏蔽镀层方阻,防静电涂层方阻,金属化镀层方阻。

3.方块电阻率测量:材料表面方块电阻,薄层电阻,电阻均匀性分布测试。

4.面电阻测绘:大面积样品面电阻分布图,电阻均匀性分析,缺陷点定位。

5.方阻与厚度关系分析:基于方阻的膜层厚度估算,厚度均匀性间接评估。

6.导电线路方阻测试:印刷电路导线方阻,柔性电路走线方阻,微细线路方阻特性。

7.透明导电材料方阻测试:氧化铟锡玻璃方阻,柔性透明导电膜方阻,金属网格方阻。

8.半导体晶圆片方阻测试:外延层方阻,扩散层方阻,离子注入层方阻测量。

9.纳米材料方阻测试:石墨烯薄膜方阻,碳纳米管涂层方阻,金属纳米线网络方阻。

10.材料方阻温度系数测试:不同温度环境下方阻变化测量,导电稳定性评估。

11.方阻随时间稳定性测试:长期老化后方阻变化,环境耐受性评估。

12.各向异性材料方阻测试:不同方向上方块电阻测量,导电各向异性分析。

检测范围

氧化铟锡导电玻璃、柔性透明导电薄膜、硅片外延层、金属溅射薄膜、导电高分子涂层、电磁屏蔽衬垫、印刷银浆电路、石墨烯导热膜、太阳能电池背电极、触摸屏感应层、液晶显示器电极、防静电包装材料、射频识别天线、纳米银线透明电极、陶瓷金属化基板、聚合物厚膜电路、玻璃镀膜、晶圆扩散层、磁控溅射镀膜、真空蒸镀膜层

检测设备

1.四探针电阻测试仪:用于精确测量薄膜及半导体材料的方块电阻与电阻率;采用直线或方形四探针头,可消除接触电阻影响。

2.非接触式涡流导电仪:用于快速无损测量非铁磁性金属镀层或薄膜的方阻;特别适用于不耐划伤或高温的样品。

3.高阻计与电极:用于测量高电阻率材料的绝缘性能及方阻;配备三电极或环形电极系统以消除边缘效应。

4.微区四探针测试平台:用于微米级区域的局部方阻精确测量;集成高精度位移平台与显微镜进行定位。

5.面电阻扫描测试系统:用于自动测量大面积样品表面电阻的分布均匀性;通过多点或连续扫描生成电阻分布图。

6.霍尔效应测试系统:用于综合测量半导体材料的电阻率、载流子浓度、迁移率及方阻;提供全面的电学性能表征。

7.高温方阻测试夹具:用于在可控温度环境下测量材料方阻随温度的变化;评估材料的温度稳定性与热效应。

8.薄膜厚度测量仪:用于精确测量膜层厚度,为方阻与电阻率的准确计算及厚度均匀性评估提供关键参数。

9.探针台与精密源表:用于对微小器件或特定图形进行接触式电学测试;可进行电流-电压特性及方阻的精密测量。

10.环境试验箱:用于模拟高温、高湿、盐雾等环境条件,测试材料方阻在经过环境老化后的稳定性与变化情况。

北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

中析仪器资质

中析方阻测试-由于篇幅有限,仅展示部分项目,如需咨询详细检测项目,请咨询在线工程师

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